2007年 No.211 デバイス特集
OKIらしい半導体事業展開 [204KB]
北林宥憲
500Mbps/Pair高速インタフェースを搭載した世界初13bit・ソースドライバの開発およびRGB独立ガンマ制御を搭載したデモ・パネルの製作 [326KB]
加納 行
急速なLCD-TVのFull-HD化に伴って、画質への要求はあらゆる面で高まって来ている。今後の高画質化への要求やデジタル・シネマ規格ディスプレイへの対応するため、RGB三原色の特性を独立制御するための技術開発と、デモパネルの開発結果について報告する。
車載機器向け有機ELドライバの開発 [526KB]
木村直哉・古市宗司
有機ELディスプレイは、携帯機器や車載機器へ利用が広がり、テレビへの製品化が発表されるなど注目を集めている。本稿では車載機器向け有機ELドライバに要求される要素技術の開発とEMIの低減に向けたOKIの取り組みについて説明し、OKIが開発したワンチップのコントローラ内蔵有機ELドライバの商品概要を紹介する。
世界No.1ドライバベンダを目指すOKIのLSI設計環境 [215KB]
柳原昌志・國田謙二
世界No.1ドライバベンダを目指し、高品質なドライバLSIを短期間で設計するための取り組みを紹介する。(1)アナログ回路の自動最適化 (2)高耐圧CMOSトランジスタの最新SPICEモデル (3)高密度レイアウトを実現する自動配線。
CMOS RFトランシーバチップの開発 [232KB]
太矢隆士
各種ワイヤレス機器に用いられている、OKIのCMOS RFトランシーバチップにおいて活用されている回路技術の特長と有効性を解説し、各種商品を紹介する。
1GHzサンプリング/6bit高速ADCの開発 [492KB]
佐々木征一郎・新井満・八木勝義・菅井男也・杉村直昭
UWB(Ultra Wide Band)に代表される高速・広帯域のワイヤレス通信LSIに必要な1GHzサンプリング/6bit高速ADCをCMOSプロセス・単一電源で開発した。回路技術と試作品評価結果を紹介する。
地上デジタル放送1/3セグ用OFDM-LSIの開発 [263KB]
赤堀博次・市川武志
国内地上デジタルテレビ放送用「ワンセグ」およびデジタルラジオ用OFDM-LSIを開発した。今回開発した商品の概要と移動体端末に必要な高速移動時の受信特性の向上を実現した技術を紹介する。
MPEG-4ネットワークカメラリファレンスデザイン [687KB]
田村純一・高塚浩一・村上康二・呉 志雄・臼田一人
OKIが独自に最適化した高画質映像符号化・伝送技術をベースに、MPEG-4エンコードLSI、リファレンスデザイン及びビューワを開発し、セットで供給を開始した。これにより、お客様は独自性のある高品位なネットワーク監視カメラシステムを短期間で容易に構築することが可能となる。
民生用途に最適な高バンド幅メモリ [489KB]
佐久間信三
民生用途に最適化した仕様を備え、SiPへの組み込み容易性を向上させた、使いやすいメモリとして32Mbit SDR SDRAMを開発した。
SOI UVセンサーICの開発 [228KB]
三浦規之・千葉 正・山田浩幸・馬場俊祐
SOI-CMOS技術を用い、アナログ電圧出力・光学フィルター不要の紫外線(UV)センサーIC「ML8511」を開発した。ML8511は、同一チップ上に周辺回路を搭載して、センサーの感度バラツキを回路で抑制できる特徴を持つ。
SystemCを活用したシステムLSI開発支援 [664KB]
伊藤 徹・依田 究・飯田康詞
システムLSIに対する要求は、高機能、高性能、低消費電力とますます高度化している。本稿では、SystemCによる仮想ハードウェアモデルやFPGAによるプロトタイピングボードを活用したシステムLSIのソフトウェア/ハードウェア開発手法について述べる。
OKI CベースSoC設計技術 [299KB]
岡田敦彦・児玉秀賢・槇 和彦
我々は、これまで培ってきたCベースの設計技術をもとに、C言語インタフェースのSoC設計事業を開始した。お客様が実現したいアルゴリズムからSoCのアーキテクチャを短期間で探索し、要求仕様に合わせた差別化を図ることが可能である。本稿では、アーキテクチャ探索を中心にOKIのCベース設計技術について説明する。
遺伝的アルゴリズムを用いたコンパクトモデルパラメータ抽出システムの開発 [225KB]
新里昌弘・馬場俊祐
遺伝的アルゴリズム(GA)によるSPICE用モデルパラメータ抽出の実用化を目的とし、クラスタコンピュータによる実用システムを構築した。 本稿ではGAの概要を述べるとともに、開発システムの性能について報告する。
超低消費電力FD-SOIの現状と展望 [252KB]
谷 幸一・クマール アニール・堂前泰宏・内山 章・井田次郎
当社は、完全空乏型SOI CMOSデバイスを実用化し、低電力LSI技術の開発を進めてきた。本稿では、次世代キーシステム、センサネットワーク等、更に低消費電力化が必要なアプリケーション向けに行っているLSIの開発状況および今後の展望についてまとめた。
微細トランジスタにおけるゲートの微小ラフネス測定とエッチングによるその低減化技術 [322KB]
谷畑篤史・小池 理・橋本 潤・倉知郁生
トランジスタゲートのLER(Line Edge Roughness)を3D-AFMを用いた直接測定により定量化した。その結果から分かったLERに対するエッチングの影響と、その低減化技術について報告する。
LSI内蔵基板技術の開発 [356KB]
閑野義則
携帯機器用途を中心とした高密度実装技術として、また、SiP(System in Package)技術の一貫として、LSI内蔵基板技術を沖プリンテッドサーキット(株)、長野沖電気(株)と共同開発した。開発したパッケージ技術とモジュール試作結果、信頼性について紹介する。
貫通電極を用いたチップ積層技術の開発 [593KB]
加藤 理
高速かつ大容量で小型化を同時に実現する貫通電極を用いた積層DRAMの開発を行った。貫通電極はDRAMプロセスに適合しやすいVia First法のPoly-Siを選択しており、マイクロバンプの構造を工夫してFC接合条件を最適にしたことで、最大9層のチップ積層を実現した。
マイクロバンプを用いたSiP技術の開発 [574KB]
菊地秀和
Siインターポーザ上にDRAMやASIC等複数のチップを直径30µmのマイクロバンプで多点接合する技術を開発した。本稿ではこれらSiインターポーザを内蔵したSiP(system in package)技術について紹介する。
10Gbit/s-LN変調器ドライバ [254KB]
小川康徳・和泉貴之
10Gbit/s長距離光通信システムへの適用を目的としてバイアス用インダクタ内蔵のLN変調器ドライバを開発した。高耐圧PHEMTと回路構成の最適化により11.3Gbit/sの高速動作および6Vpp の高出力振幅特性の実現と、ICの小型化に成功した。
-40~95℃で動作するFTTH用2.5Gbit/s-1.49µm-DFBレーザの開発 [374KB]
杉山 直・佐々木暁・于 翔・武政敬三
Fiber to the Homeに使用するG-PONシステム用として、特に北米市場参入に向け周囲温度-40~95℃の広い温度範囲で動作する発振波長1.49µmのDFBレーザを開発した。MQW構造を含めたDFBレーザの構造パラメータの最適化を行うことで、動作温度範囲を従来の-5~70℃から、-40~95℃に大幅に広げることができた。
40Gbit/s-EA変調器集積DFBレーザ [294KB]
立花啓悟・久保田宗親
40Gbit/sトランスポンダー用光源として、EMLモジュールを開発した。EML素子設計の最適化、最適なTEC選定やAC終端による低消費電力化、非球面レンズによる高結合効率化、高周波伝送路の最適化を実施したことで、35℃において、カットオフ周波数40GHz以上、40Gbit/s NRZ動作において、平均光出力1.5dBm、消光比9.2dB、マスクマージン13%と良好な伝送特性が得られ、さらには、最大消費電力が0~75 ℃で、0.7Wと、従来と比較して60%低減させることに成功した。また、信頼性に問題ないことも検証した。
10Gbit/s APD-ROSAの開発 [313KB]
中村智広・烏野ゆたか
裏面入射型10Gbit/s-APD素子を開発し、XMD-MSA準拠のAPD-ROSAの試作・評価を行った。最小受信感度は-28dBm、ダイナミックレンジは25dB以上の良好な受信性能が得られた。
高利得高効率電力増幅器用GaN-HEMT技術 [283KB]
星 真一・大来英之・森野芳昭・伊藤正紀
次世代無線基地局向けに開発した高利得高効率パワーGaN-HEMTについて、デバイス技術とその優れた電気的特性について紹介する。
NGNに向けたホームネットワークへの取り組み [385KB]
堀渕高照
当社は、ホームネットワークで使用される各種インタフェース・プロトコルとNGNの機能を持つ「BB MediaRouter(BBMR)」を開発した。本稿では、BBMRで実現できるホームネットワークとNGNが連携するサービス例の紹介と、それらサービスの実現方法を説明する。
エピフィルムボンディングによる異種材料融合デバイス [403KB]
荻原光彦
異種材料を融合するための「エピフィルムボンディング(Epi Film Bonding:EFB)」技術を開発し、その技術を使って新型デジタルLEDプリントヘッドを開発した。このプリントヘッドではEFB技術によってLEDアレイとドライバICを融合した新しいデバイスを使っている。EFB技術を使った2次元LEDアレイを試作し、EFB技術の別の応用の可能性を検証した。