2003年 No.196 デバイス特集
デバイス特集によせて [1.3MB] 
加茂 明・北林宥憲・坪井正幸
システムLSIソリューション [797KB]
堀口勝治
IP電話向けVoIP専用LSI(ML7074/ML7084)と通信プロトコル制御用ソフトウエアの開発 [806KB]
下豊留勉・神山隆則・水越幸弘・久米寛司
VoIP対応の通信機器向けLSIとして、VoIP音声CODEC(ML7074)、ML7074へARM7TDMI、Ethernet MACコントローラ等を搭載したVoIP通信プロセッサ(ML7084)を開発。更にML7084向けに、ソフトウェアとしてベーシックサービスパッケージ(BSP)を開発し、VoIPのトータルソリューションを提供することを可能にした。
着信メロディ用音源LSI ML2870の原理と技術 [793KB]
斎藤直孝・松原弘明・森本雅史
性能アップグレードを容易にした汎用ARM MCU: ML674001シリーズ / ML675001シリーズ [969KB]
中澤哲夫・武田浩一・永田 聡・阪田義男・松井秀斗
既に量産開始しているML674000に続く上位シリーズとして周辺機能を拡張したML674001シリーズと、それとともに性能アップしたML675001シリーズを開発した。
これらはシリーズではFLASHをMCP搭載したモデルも用意し、これまで以上に広い市場でのニーズに対応することができる。本稿では、その概要と特徴について述べる。
高度化する自動車に向けたSoCソリューション沖の車載ARMシステムLSI [871KB]
砂塚 慎
高度化する自動車用に求められるシステムLSIの動向とARMをコアとした車載用システムLSI商品について説明する(エンジン制御用ARM9システムLSI: ML67Q2003、メータパネル用4chCAN内蔵ARM7システムLSI: ML67Q2301)。
有機ELドライバLSIの開発と今後の展開 [841KB]
福迫真一・佐藤眞一・國田謙二・梁 平・杉本照和
次世代のディスプレイパネルとして有機ELパネルが注目されている。携帯電話のサブパネル、車載パネル等でパネルの実用化が開始されており、当社においてもドライバLSIの量産を2002年より開始している。本稿では、当社の有機ELドライバLSIの開発経緯、商品紹介および今後の開発方針を紹介する。
SOIを用いて高感度/低消費電流を実現した電波時計用タイムコード受信LSI [648KB]
柳原淳一・宮下時男・太矢隆士
タイムコード受信LSIとして完全空乏型SOI CMOSプロセスを用いて開発されたML6190Aの回路構成の説明、電波時計用LSIの今後の商品展開や完全空乏型SOI CMOSプロセスを採用したことによるメリットについて述べると共に、今後期待される電波時計のアプリケーション例の紹介を行なう。
顧客が要求する多彩なバリエーションに応えるP2ROM™商品技術 [800KB]
武田景一郎
広範なユーザ要求仕様に対応するために、基盤となる汎用P2ROMとユーザ要求仕様を実現する機能チップをMCP技術により組み合わせたカスタムP2ROMを開発している。
新規設計する機能チップはメモリ以外の機能のみであるため、短納期で開発が可能であるという利点がある。また、複数の汎用P2ROMをMCP技術を用いた大容量P2ROMの開発も行っている。
映像ノイズ除去LSI NR-FIFOシリーズの開発 [1.1MB]
中野孝経
映像ノイズ除去LSI NR-FIFOシリーズを開発した。これらは、DRAM-LOGIC混載プロセスとFIFOカスタマイズ技術を用い、1チップにてノイズリダクション機能および他の高画質化機能を実現したLSIである。
シグナルインテグリティを考慮したタイミング収束手法 [1MB]
菊地原秀行・栗本雅弘・田代雅久・菊池秀和・堀川正永
微細化に伴うシグナルインテグリティ(SI)の問題を未然に予測かつ予防し、タイミング収束による手戻りを最小限に留める諸対策を先端LSIの設計フローに導入した。本稿ではSIを考慮したタイミング収束手法の概要とその特徴および有効性について述べる。
µPLATのプロトタイピング技術 [868KB]
稲葉総一郎
システムLSI開発においては、ソフトウエアを含めたシステム検証が重要である。本稿では、システム検証を開発の早期段階で実施できる、プロトタイピング検証手法の比較を行い、µPLATプロトタイピングボードがプロトタイピング検証に有用であることを示す。また、µPLATプロトタイピングボードに使用される技術を概説し、µPLAT-7Dプロトタイピングボードについて紹介する。
SoC組込みソフトウェアの開発 [784KB]
飯間 豊・久米寛司・本田一成・細谷雅寿
0.15µm FD-SOI低電力LSI技術 [849KB]
森川剛一・梶田陽子・御手洗睦
当社では、0.35µm、0.20µm完全空乏型(Fully Depleted)SOI CMOSデバイスを実用化し低電力LSI技術の開発を進めてきた。本稿では、更なる小型化、高速化を目的として微細化した0.15µm FD-SOI CMOSのデバイス開発、および、ディジタル回路に適用した場合の回路性能についてまとめた。
次世代強誘電体メモリ集積化技術 [977KB]
林孝尚・五十嵐泰史・猪股大介・一森高示・三橋敏郎・足利欣也・伊東敏雄・吉丸正樹
強誘電体材料として、低電圧動作に有利なSrBi2Ta2O9(SBT)を用いた、0.25µmルール4Mb FeRAMを開発した。上部電極をプレート線として用いる新構造「台座型セル」を採用し、セル面積縮小及び強誘電体特性の劣化を抑制した。
露光機のフォーカス精度測定方法の開発 [836KB]
星野大子・山内孝裕・渡辺明・小野寺俊雄・東野秀博
沖独自で開発したフォーカス自動測定方法によりKrFスキャナ露光機の微小なフォーカスエラーを数nmレベルの高精度かつ簡便なプロセスで測定することに成功した。
LSIの多層配線におけるチャージアップ起因のヴィア高抵抗化現象とその対策 [689KB]
小笠原裕美・影山麻樹子・酒匂克浩
Wプラグを用いた多層配線プロセスにおいて、特定のパターン上のヴィアで高抵抗になるトラブルが発生している。フローティングの長配線に接続したヴィアである。本稿ではこの現象の原因究明のため評価パターンを考案し、対策方法の検討について述べる。
ウェハレベルチップサイズパッケージ(W-CSP)におけるインダクタ内蔵技術の開発 [918KB]
安在憲隆・渡辺潔敬・宇津木知克・照井誠・大角卓史
ウェハレベルチップサイズパッケージの再配線技術の微細化により、高周波機器向けの小型・高Q値のインダクタ形成を実現し、その基本特性を検証した。
40Gbit/s光通信用InP系HEMT技術 [661KB]
大島知之・星 真一・森口浩伸・伊藤正紀・角谷昌紀・市岡俊彦
次世代40Gbit/s光通信用超高速送受信ICの基本デバイスとして、0.1µmゲートダブルリセス構造InP-HEMTを開発した。本デバイスは高速・高耐圧特性をあわせ持つ優れたデバイス特性を有し、1/2分周器ICの50GHzにおける超高速分周動作を達成した。
40Gbit/s光通信用増幅器IC [732KB]
小杉 真
40Gb/s光通信システムへの適用を目的として、広帯域分布型増幅器ICを開発した。11.5dBの高利得と69GHzの広帯域を実現した。40Gb/sの出力振幅として2.8Vが得られ、EA変調器ドライバIC等への適用が可能である。
移動体通信用GaAs広帯域アンプの開発 [316KB]
甲斐靖二・伊藤正紀・亀卦川伸孝・山本寿浩
0.1～6GHz帯の移動体通信システムで使用できる汎用のGaAs広帯域アンプを開発した。高周波特性と量産性に優れたP-HEMTをベースに、高精度のFETモデルを抽出して設計を行った結果、ローコスト化および高性能化を実現できた。
1550nm 10Gbit/sドライバ内蔵型EA変調器付きLDモジュール [825KB]
大沢政明・川西秀和
EAM-DFBとEA変調駆動用のICを同一パッケージに実装した10Gbit/sドライバ内蔵EA変調器付きLDモジュールを開発し、その結果40km、80km伝送で良好な特性が得ることができた。
10Gbit/s 1.3µm AlGaInAs DFBレーザの開発 [1.3MB]
武政敬三・杉山 直・八田谷洋一
10ギガビットイーサネットやOC-192用光源として、温度特性に優れるAlGaInAs を用いたレーザが注目されている。本稿では、現在開発中の10Gbit/s AlGaInAs DFBレーザのCWおよび高速変調特性について紹介する。
面入射型PIN-PDを用いた10Gbit/s表面実装型モジュールの開発 [709KB]
冨本忠利
声と音の技術戦略
[532KB]
森戸 誠
『いい音』にこだわる沖の音技術の戦略を、リアルな音環境を実現する広帯域音声符号化、マルチメディアLSI、音声サービス事業者向けの音声素片ソリューションを中心に紹介する。
Micro Electro Mechanical Systems(MEMS)の最新技術動向 [758KB]
池上尚克
MEMS技術の現在迄の進展に関して、日本と欧米の比較の中で概観した後、今後のMEMS市場と開発の動向、技術課題について述べる。又その中での当社取り組みに関して、特に当社が開発した3軸加速度センサを中心に紹介する。
低消費電力 完全空乏型SOIデバイス開発のあゆみ [735KB]
長友良樹
SOI技術は優れた特性を持ちながら、なかなか製品化できなかった。今回、我々は完全空乏型SOI技術によるLSIを世界で初めて量産化した。このデバイス・プロセスの開発経緯について述べる。
