村木真治 閑野義則
表面実装型LSIパッケージの問題点は、リフロー時のパッケージクラック現象である。LSIの高集積化に伴う大チップ化により、リフロー時に発生する応力の増加が主な原因である。64MDRAM対応モールド樹脂開発に当たり、上記の発生応力を低減させる方法として、高密着化および低吸湿化を検討した。これらの方法により生じる懸案事項は、（1）高温放置特性低下、（2）成形性低下が予想された。我々は、モールド樹脂各成分の量や種類の最適化により、通常の保管方法、リフロー条件ではパッケージクラックの発生がなく、高信頼性のモールド樹脂を開発し、64MDRAMの高品質化に寄与することができた。
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