林 洋一 甲斐和彦 福田浩一 西 謙二
しきい電圧とその基板バイアス効果から不純物プロファイルを求めるインバースモデリング技術を用いて、深さ方向のMOSFETチャネルプロファイルを抽出する方法を開発した。特に、本手法を用いて得られた不純物プロファイルの一意性についてシミュレーションにより検証した。結果として、基板バイアスにより空乏層が変化する範囲では、不純物プロファイルを一意に決定できることがわかった。応用例として、本手法を実デバイスに適用した結果、実測値と良く一致した。本手法は、実デバイスの不純物プロファイルを高精度に抽出できる有効な手段である。
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