安楽一広 大岩幸一
接合リーク電流に影響するシリコン基板のライフタイムのLSI製造プロセスでの変化を，μPCD法により評価した。その結果，ライフタイムの劣化の大きい工程は，酸化膜エッチングとイオン注入であった。これらの工程において，従来ライフタイムの劣化原因と言われている重金属汚染は，ライフタイムに影響のないレベルであり，ライフタイムの劣化は，反応性イオンエッチングやイオン注入のダメージより発生した結晶欠陥が主な原因であることが明らかになった。
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