劉 国林 内田英次 合川 泉 平下紀夫
内標準法に基づく2次イオン質量分析法(SIMS)により，Si基板中のドーパントプロファイルの高精度評価法を開発した。繰り返し精度が従来法では約25％に対し，本法により5％以下に改善することができた。さらに，化学的微量分析法を用いて絶対定量したドーズ量を内標準SIMSの標準ドーズ量とする方法を確立した。化学分析で標準ドーズを校正した内標準SIMSによるプロファイルとPulsed C-V法によるプロファイルが，よく一致することも確認した。本手法の開発により，従来評価できなかったわずかなドーパントプロファイルの偏析や拡散など，先端デバイス開発に不可欠な物理定数を高精度に評価できることを確認した。
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