宮川康陽 池上尚克 松井孝行 金森 順
今後開発される超高集積半導体デバイスでは，ディープサブミクロン領域の微細コンタクトホールのドライエッチング技術が不可欠である。この技術を効率よく開発するには，被エッチング膜である酸化シリコン(SiO2)のエッチングメカニズムの解明が必要である。
本稿では，昇温脱離法を用いて，実際のエッチング条件でプラズマ処理したSiO2のエッチングメカニズムを解析とした。SiO2の主反応生成物はSiF4とCOであり，その生成・脱離には，SiO2上のフルオロカーボン層から生成したCF2とFが関与していることを明らかにした。また，実験結果を説明するための反応モデルを提唱し，その妥当性を確認した。
戻るCopyright (c) 1996 Oki Electric Industry Co., Ltd.
www-admin@www.oki.co.jp