荻原秀俊 吉丸正樹 高瀬俊二 北 明夫
高密度DRAM用のセル技術として，両面粗面ポリシリコン(DSR)技術を開発した。本技術は，粗面ポリシリコンがイオン注入により変形する現象を利用したものである。DSRは上面，下面ともに粗面形状をもつため，その表面積を効果的に増加させることができる。
DSRを用い，セルサイズ0.72μm2で2層のフィン型キャパシタを試作した。容量測定から，フィンの上面，下面の平均面積増加率は1.8倍となることを確認した。256Mbit-DRAMに適用した場合，300nmの蓄積電極高さで25fF/bitの容量が得られる。また，DSR技術は複雑な工程，特殊な技術を全く必要としないので，256MビットDRAM以降の高集積DRAMに適した技術である。
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