沖電気研究開発(No.173)

3V電源用低歪みパワーFET

齊藤 正 伊東祐子 星 真一 伊東昌章 猪口和之

 ディジタル携帯電話用パワーFETとして、低電圧動作時における効率、低歪み特性に優れたFETの開発を行った。基板としてMBEエピ基板を用い、ソース・ドレイン領域はイオン注入法を用いて形成し、高ドレイン電流等のFET特性を保ちながら、ゲート耐圧の向上に成功した。本パワーFETはドレイン電圧3.4Vにおいて出力電力31dBm、電力付加効率52%、50kHz離調時の隣接チャネル漏洩電力−52dBcを達成し、ディジタル携帯電話用パワーFETとして優れていることが実証された。



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