2013年2月28日
沖エンジニアリング株式会社
沖電気工業株式会社
排ガス処理装置をオン・セミコンダクター社欧州拠点へ納入
常圧CVD製膜過程の排ガス処理と製膜安定性を両立し、お客様の生産環境保全をサポート
排ガス処理装置
「KGT-3MM-AP」
OKIグループの信頼性評価と環境保全の技術サービスを展開するOKIエンジニアリング（社長：浅井 裕、本社：東京都練馬区、以下OEG）は、このたび半導体メーカーであるオン・セミコンダクター社（社長：ケイス・ジャクソン、本社：米国 アリゾナ州フェニックス）のヨーロッパ拠点に常圧CVD(注1)製造装置用排ガス処理装置「KGT-3MM-AP」を納入しました。本装置は、常圧CVD製造装置で使用する特殊材料ガスを除害するとともに、排気圧力を一定に保つ制御を行うことによってCVD膜製造ラインの安定稼働を実現し、お客様の生産環境保全に寄与します。
Power FET(注2)やIGBT(注3)などの半導体の製造にあたっては、絶縁膜製造のため常圧CVD製造装置が欠かせません。しかし、この製造装置にはシラン（SiH4）(注5)、ホスフィン（PH3）(注6)、ジボラン（B2H6）(注7)など人体に有害なガスが使われるため、排ガス処理が必要となります。OEGの排ガス処理装置「KGT-3MM-AP」は、CVD製膜に使用する特殊材料ガスおよび微紛体を効率的に処理する湿式排ガス処理装置です。装置内部に特殊なステンレス製のフィルターを採用することで除害性能の効率化と目詰まりしにくい構造を実現しており、長期間メンテナンスせずに運用することが可能です。また、内部フィルターを容易に清掃できる独特の構造を採用し、装置維持管理の面からも好評を得ています。さらに、圧力制御のための微圧計もCVDガス用に特化して開発されたもので、排気ファンをインバーター制御することにより、常圧CVD製膜に欠かせない一定の排気圧力の維持や、長期間の安定稼働を実現しています。
OEGは、3年前に天谷製作所（社長：吉岡 献太郎、本社：埼玉県越谷市）製の連続常圧CVD製造装置の排ガス処理装置として、オン・セミコンダクター社に「KGT-3MM-AP」を納入しました。このたびの欧州拠点への増設は、本装置の圧力制御方式や排ガス除害性能について、トラブルが無く安定したCVD膜製造に寄与していることが評価されたことによるものです。本装置の導入により、欧州拠点ではNSG(注8)、PSG(注9)、BPSG(注10)などのCVD膜の膜厚分布の安定性を確保できるほか、工場におけるスループット向上や排ガス処理コスト削減も可能となります。
OEGは、約30年前から排ガス処理装置の製造を行い、これまで日本国内および台湾での半導体・太陽電池量産工場への納入実績を積み重ねてきました。今回欧州へ展開しましたが、今後は東南アジアなどさらに新たな地域への展開を計画しています。
「KGT-3MM-AP」仕様
- 商品名
- 常圧CVD製造装置用排ガス処理装置
KGT-□MM-AP（□：1、3、10、特） - 処理能力
- □m³／min（□：1、3、10、特注仕様）
- 圧力制御
- －0.15～－0.40KPaの範囲の一定陰圧、または、指定陰圧に保持
- 対象用途
- 常圧CVD、太陽電池、ウエハー製造
オン・セミコンダクター社について
- 社名
- オン・セミコンダクター（ON Semiconductor）
- 本社
- 米国 アリゾナ州フェニックス
- 社長
- ケイス・ジャクソン（Keith Jackson）
- 事業内容
- エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤー。
- URL
- http://www.onsemi.jp/
天谷製作所について
- 社名
- 株式会社天谷製作所
- 本社
- 埼玉県越谷市西方3491-1
- 代表取締役社長
- 吉岡献太郎
- 事業内容
- 半導体・太陽電池等で使用するSiH4系およびTEOS系NSG膜、PSG膜、BPSG膜の成膜が可能な常圧CVD装置の製造、設置。
- URL
- http://www.amaya-cvd.co.jp/
用語解説
- 注1：CVD
CVD（Chemical Vapor Deposition、化学気相成長法）は、加熱した基板上にさまざまな物質の薄膜を形成する蒸着法の一つ。
- 注2：Power FET
Power FET（Power Field-Effect Transistor）は、大電力を取り扱うように設計されたMOSFET(注4)のこと。他のパワーデバイスと比較するとスイッチング速度が速く、低電圧領域での変換効率が高いため、200V以下の領域で、スイッチング電源や、DC-DCコンバータ等に用いられる。
- 注3：IGBT
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は半導体素子のひとつで、MOSFETをゲート部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。
- 注4：MOSFET
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、電界効果トランジスタ（FET）の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。
- 注5：シラン（SiH4）
シラン（silane、水素化ケイ素）とはケイ素の水素化物で化学式 SiH4、分子量 32.12 の特異な臭気を有する無色の気体である。もっとも単純な気体状のケイ素化合物であり、半導体製造に用いられる特殊材料ガスの代表である。
- 注6：ホスフィン（PH3）
ホスフィン（phosphine、リン化水素）は分子式 PH3 で表される無機化合物。半導体製造のドーピングガスの原料であり、ケイ素をn形にする場合や、InGaP（インジウムガリウムリン）などといった半導体を製造するときにも用いる。常温では無色腐魚臭の可燃性気体で、極めて毒性が強い。
- 注7：ジボラン（B2H6）
ジボラン（diborane）は、ホウ素の水素化物。狭義のボラン（モノボラン、BH3）の二量体として存在する。単体は無色で、特徴的な甘い臭気を持つ気体。半導体材料ガスとして重要である。重合触媒や還元剤、ロケットの推進剤としても役立つ。引火性が高く、爆発性で、毒性が高い。
- 注8：NSG（None-doped Silicate Glass）膜
リンやボロン等の不純物を含まないシリコン酸化（SiO2）膜。
- 注9：PSG（Phospho silicate glass）膜
リンをドーピングしたシリコン酸化膜。
- 注10：BPSG（Boro-phospho silicate glass）膜
ボロンおよびリンをドーピングしたシリコン酸化膜。
リリース関連リンク
- 沖電気工業株式会社は通称をOKIとします。
- 沖エンジニアリング株式会社は、通称をOKIエンジニアリングとします。
- その他、本文に記載されている会社名、商品名は一般に各社の商標または登録商標です。
- 本件に関する報道機関からのお問い合わせ先
- OKI 広報部
電話：03-3501-3835 - 本件に関するお客様からのお問い合わせ先
- OKIエンジニアリング 環境事業部
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