沖電気研究開発(No.177)

160Gbps大容量ATM-SW構築のためのカスタムメモリ技術

 森川剛一
 横溝幸一
 小田切英昭 
 高橋徳明
 野入晃

 大容量共通バス型ATMスイッチ実現に向けたバッファメモリマクロの設計技術について述べた。高速セル処理を実現するために,分散型バッファ方式,ビルトインPLLによるクロック生成手法を提案した。これらの方式を適用したバッファメモリマクロのテストチップを0.5μmCMOSプロセス技術により,試作し,良好な特性を得た。既存のCMOS技術を用いて,総スループット160Gbpsを実現する大容量ATMスイッチが実現可能であることを確認した。



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