竹広忍
吉丸正樹
高密度DRAM用として，従来のシリコン窒化膜の数十倍の誘電率を有する(Ba,Sr)TiO3膜を用いたキャパシタの形成技術を開発した。新たに開発した成膜初期基板RF印加スパッタ法により，330℃という低い成膜温度において高い誘電率（膜厚50nmで比誘電率380）を有する良質な(Ba,Sr)TiO3膜を得ることができた。成膜温度の低温化は下部電極Ruの表面モホロジー劣化によるリーク電流の増加を抑制し，(Ba,Sr)TiO3膜を２５nmまで薄膜化することを可能にした。これにより，平坦な単純スタック型の構造でギガビット時代のDRAMに十分対応できるキャパシタが実現可能になった。
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