古田建一 秋山 豊 水内賢二
計測機器内におけるコモンノイズ対策用光MOSリレーを製品化するために、光MOSリレー内に組み込まれているVD MOSの開発を行った。VD MOSの目標仕様はコモンノイズで発生する電圧と使用方法から耐圧1200V程度、オン抵抗100Ω以下と設定した。また、既存の光MOSリレーのパッケージサイズと同等のサイズ（8.68×6.4×3.65mm）の製品を作成するために、チップ面積を2.0×2.0mmに設定した。上記の目標仕様とチップサイズより、耐圧を向上させるため、チップ周囲部にFP構造を採用し、試作・シミュレ－ション（OPUS、ODESA）を行った。その結果、耐圧1400V、オン抵抗70Ωを確認し、目標仕様を満足する製品ができた。
戻るCopyright (c) 1997 Oki Electric Industry Co., Ltd.
www-admin@www.oki.co.jp