松山 勇 佐藤雅克 西 清次
ディジタル携帯電話用パワーFET、あるいはミリ波用FETではMBE法で成長したチャネル層が用いられるようになり、MBE成長の量産化技術の確立が強く求められている。MBE成長によるエピウエハの量産化において、カギとなる均一性および再現性について検討した。成長膜厚の高精度モニタ法を考案し、これを用いることで±1％以内の成長速度の再現性が得られた。ウエハ面内の均一性は、膜厚およびドーピング濃度ともに±1％以内であることが確かめられた。このMBE成長の量産化技術を用い、低歪みパワーFET用エピウエハの連続成長を行い、高い再現性で成長できることを確認した。
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