齊藤 正 伊東祐子 星 真一 伊東昌章 猪口和之
ディジタル携帯電話用パワーFETとして、低電圧動作時における効率、低歪み特性に優れたFETの開発を行った。基板としてMBEエピ基板を用い、ソース・ドレイン領域はイオン注入法を用いて形成し、高ドレイン電流等のFET特性を保ちながら、ゲート耐圧の向上に成功した。本パワーFETはドレイン電圧3.4Vにおいて出力電力31dBm、電力付加効率52％、50kHz離調時の隣接チャネル漏洩電力－52dBcを達成し、ディジタル携帯電話用パワーFETとして優れていることが実証された。
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