鹿島保昌 宗像 務
一度の成長で基板内の組成制御ができる選択成長を応用して、端面放射型発光ダイオードを作製し、素子の低コヒーレンス化と温度特性の向上を実現した。選択成長した光吸収領域を素子後方に設けた構造により、発光ダイオード特性の劣化要因となる光のフィードバックを抑制した。今回開発した端面放射型発光ダイオードは、システム実用上十分なシングルモードファイバとの結合特性、発光スペクトル特性、コヒーレンス特性および温度特性を有している。
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