吉田拓司 佐藤勝彦 小野 隆
NOR型メモリセルを用いて3.3Vまたは5V単一電源動作の16MビットフラッシュEEPROMを開発した。書き換え単位は小規模な536バイトとし，書き込み効率を向上させた。過書き込みによる誤読み出し対策として，読み出し時の非選択ワード線電位に負電圧を採用した。さらにシリアルインタフェース，スタティックアドレスモード，スタンドアロンモードなどの採用により，携帯機器の外部記憶装置に適したフラッシュEEPROMを実現した。シリアルアクセス時間は43nsが得られた。
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