下山浩平 宮川康陽 山内孝裕
VLSIの高集積化に伴い，微細パターンの形成技術において高解像度化，高精度化が重要な課題となっている。このため，i線リソグラフィ技術では縮小光学系の解像力向上とともに，レジストプロセスの高解像度化が必要となってきている。この要請に対し，今回新たに樹脂コーティングを用いたアンダーサイズ法を開発した。
本プロセスは通常のi線レジストプロセスによりホールパターンを形成した後，樹脂のオーバーコート，ベーク(熱処理)，除去処理を行う。これにより，パターン側壁にレジストと樹脂の混合層を付加することで，レジストパターンをアンダーサイズすることができ，露光機の解像限界を越えるパターン形成が可能となる。本プロセスを用いて，ホールパターン形成条件を検討し，次世代VLSIに適用可能なサブクォーターミクロンのホールパターン形成が可能なことを確認した。
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