位相シフト法を基本とする, 耐熱性ゲート金属W‐A/の, 微細加
工技術を開発した。本プロセスにより形成した0.17μmゲート
vGaAsMESFETは, ゲート長の高い寸法制御性により, 優れた均一
性を示した。また, Cイオン注入によるp層の導入により, サブハー
フミクロンゲート領域においても, 十分に短チャネル効果を抑制す
ることができた。DCFLインバータにおいては, 電源電圧2Vでの単
体遅延が10.4ps/gate, 消費電力が2.34mW/gateと, ゲート長の
微細化が, 素子の高速, 低消費電力化に有効であることを確認した。
さらに, ディジタルICへの応用として試作した8:1マルチプレクサ
では, 安定な10Gbit/s動作を達成することができた。
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