光電子集積回路実現のために, 異種半導体を同一基板上に集積化
する試みが盛んに行われている。そのための技術の１つとして, 我々
はこれまでに直接接合に関する研究を行ってきた。本稿ではInPと
GaAsおよびInPとSiの直接接合について, 最近の研究結果を紹介す
る。InP/GaAsの組み合わせでは, GaAs基板上に作製したInP系半
導体レーザで室温発振を得ることに成功した。InP/Siでも接合温
度を最適化することにより, 結晶性を劣化させることなく接合でき
ることが明らかになった。本技術は光電子集積回路を実用化するた
めの要素技術の１つとして, 今後発展が期待される。
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