半導体パターン形成に用いるメッキ溶剤を50％削減

2004年11月24日

半導体パターン形成に用いるメッキ溶剤を50％削減

処理効率を2倍にする高速メッキ液を開発し処理時間を半減

W-CSPパターン形成用高速銅メッキラインの写真

沖電気工業株式会社（社長：篠塚勝正）は、このたび、最小サイズの半導体パッケージを実現する弊社のW-CSP(注)（Wafer level Chip Size Package）生産ラインにおいて、パターン形成用銅メッキ装置の処理効率を2倍にする高速メッキ液を開発し、量産ラインに導入しました。これにより　メッキ液と溶剤の使用量を50％、年間約4,500リットル削減するとともに、メッキ工程の処理時間を約8時間から約4時間に半減する事に成功しました。

弊社では、W-CSP生産ラインにおいて、生産受託ビジネスの受注増による増産への対応と、一層のコストダウンを目指して、生産設備の増強と高効率化を検討してきました。しかし、生産数量を上げるためにはメッキ装置の増設が必要となりますが、装置が高価なうえ、増設に伴い硫酸・硫酸銅などのメッキ溶剤の使用量も増えて環境負荷も大きくなるため、増産をすすめていく上での課題となっていました。

今回開発した高速メッキ液は、液中の各成分比率を変え、さらに高速用の添加材を開発し含有させて、処理時間を半減させる事に成功したものです。本メッキ液は、既存のメッキ装置を改造することにより利用できるので、短期間にかつ低コストでメッキ工程を高効率化することができます。また、メッキ液は一定の使用時間で交換する必要がありますが、本メッキ液は従来のメッキ液の2倍の速度で処理ができるため、ウエハ1枚あたりの溶液使用量は半分になります。さらに、高速メッキ対応の改造は現地でも対応可能なため、装置の輸送や既存設備の廃棄にかかる環境負荷と費用もほとんど発生しません。

既存メッキ装置の改造費用は、新規購入した場合の半分以下の約1,500万円です。また、処理効率が2倍になることで、溶剤や廃液処理、その他の諸費用を含めて年間で約1,400万円のランニングコスト削減効果が見込まれます。弊社では、このたび高速メッキ対応に改造したメッキ装置を1台導入し、今後既存メッキ装置の改造を順次すすめていく計画です。

今後も弊社では環境負荷低減や生産効率の向上へ向けた生産改革に取り組み、製造工程で使用される化学物質の社内再利用まで考慮した「資源循環型工場」の構築を推進していく計画です。

注）W-CSP：: 半導体パッケージ技術の一つで、ウエハ状態のままの大きさでパッケージを行うことができる。装置の小型化・高密度化を進める技術として、最新のデジタル家電や携帯電話を中心として急激に普及が進んでいる。弊社ではW-CSP技術を活かした商品開発を進めると共に、2001年から生産受託ビジネスを開始している。

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