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2002年12月9日

沖電気工業株式会社
Peregrine Semiconductor Corporation

沖電気と米国ペレグリン社、
シリコン・オン・サファイア技術で提携

今回両社が合意した内容は、以下の通りです。

• ペレグリン社が保有するUTSi^R シリコン・オン・サファイア技術の沖電気へのライセンス　
• シリコン・オン・サファイア商品の共同開発　
• セカンドソース／ファンドリ契約　
• 沖電気によるペレグリン社製商品の販売
• IPの共有

沖電気では、既に世界に先駆け、完全空乏型SOI技術により超低消費電力を実現したLSIの量産化を開始しており、パーソナル、モバイル市場にターゲットを絞り、SOI事業を展開しています。今回のシリコン・オン・サファイア技術の導入は、ブロードバンド時代を見据えた超低消費電力の高周波技術を補完、強化するものであり、SOI技術とともに、真のパーソナル、モバイル市場の実現に向けたワイヤレス分野の商品展開を加速していきます。また、シリコン・オン・サファイア技術の優位性を生かし、ペレグリン社の先端のRF商品と沖電気の得意とする通信分野向けLSI、システムLSIを組み合わせたトータルソリューションを提供していきます。

ペレグリン社は、世界のパーソナル、モバイル市場においての豊富な実績と、SOI商品を量産化するなどの高度な通信用半導体製造技術を持つ沖電気と、共同技術開発も包含する強力なパートナーシップを組むことにより、より高性能なシリコン・オン・サファイア技術の普及を加速していきます。また、沖電気との販売協業や相互セカンドソース契約により、シリコン・オン・サファイア製品の優れた高周波特性や超低消費電力などの強力なメリットを、安定供給を必須とする携帯情報通信機器などの市場に対して普及させる事が可能となります。

今回の提携により、沖電気は2003年からペレグリン社商品の販売を開始し、2003年末には沖電気独自のワイヤレス商品を開発、商品化して販売を開始する計画です。2005年にはこの事業分野で300億円の売上を目指します。

【ペレグリン社概要】

• 会社名：Peregrine Semiconductor Corporation
• 所在地：本社　米国California州、San Diego市
• CEO：Jim Cable
• 設立：1990年
• 事業内容：ペレグリン社は、無欠陥極薄単結晶シリコン皮膜（UTSi^R）を形成する独自開発技術により、従来のツイン・ディフェクト問題を解決し、優れた高周波特性と高歩留まり・低コストを併せ持つ、シリコン・オン・サファイア製品を実現させました。シリコン・オン・サファイア技術の特性を生かした単体RFIC（PLL、スイッチ、ミキサー等）、高集積RFフロントエンド製品やサファイアの光透過性を利用した高集積光通信デバイス製品を製造・販売しております。

【用語解説】

・UTSi^R（Ultra-Thin Silicon）

サファイア基板に結晶欠陥の少ないシリコン層を形成する技術。通常のシリコン・オン・サファイアに較べ、ペレグリン社独自の製造方法により、結晶欠陥の少ない非常に薄いシリコン層をサファイア基板の上に形成できる。

・シリコン・オン・サファイア

サファイア基板上にシリコン層を形成し、そこに集積回路を形成するSOI技術の一種。完全な絶縁基板上に素子を形成できるため、寄生容量の影響が少なく、超低消費電力と優れた高周波特性を有する回路が形成できる。

・SOI（シリコン・オン・インシュレータ）

絶縁膜上に薄いシリコン単結晶層を形成した半導体基板、あるいはこの基板に形成されるデバイス。MOSトランジスタをSOIで形成すると、特性の改善や寄生容量の低減が図れ、低電圧での動作が可能となり、低電力デバイスを実現できる。完全空乏型と部分空乏型があり、完全空乏型では低電圧化と負荷容量の低減を同時に実現できるが、トランジスタを形成する薄膜シリコン層の厚さを50nm以下と薄くする必要がある。

• UTSi^Rはペレグリンセミコンダクター社の登録商標です。
• その他、記載されている会社名、製品商品名は一般に各社の商標または登録商標です。

　　　沖電気工業株式会社　広報部　電話：03-3580-8950