バックナンバー > 本文

2001年6月19日

米国シンメトリックス社と
FeRAMに関するライセンス契約締結

沖電気工業株式会社（社長　篠塚勝正）は、このほど米国シンメトリックス社（チェアマン兼C.E.O. カルロス アルージョ、以下シンメトリックス社）とFeRAM（Ferroelectric Random Access Memory：強誘電体メモリ）の設計・製造・販売に関するライセンス契約を締結いたしました。

当社シリコンソリューションカンパニー（プレジデント　伊野昌義）は、現在デジタルコミュニケーション市場に向けた、トータル・シリコンソリューションを提供しております。特に、パーソナル・モバイル機器に向けた低消費電力・低電圧LSI分野に注力しており、SOI（Silicon On Insulator）技術や今回のFeRAMの材料研究といった低消費電力・低電圧動作に適した技術の研究開発に以前から取り組んできました。
このたびライセンス取得したFeRAMは、低電圧動作が可能で当社の指向する低消費電力・低電圧動作LSI分野にマッチし、かつ電源を切っても記憶データが消えない特性をもつ不揮発性メモリです。当社は、本FeRAMをICカードや携帯機器のデータ用メモリなどに適用し、システム・ロジックLSI向け混載メモリコアとして応用展開を図っていきます。

今後、当社は、本FeRAMをシステムLSI向け混載用メモリとしてICカード向けLSIなどに応用し、2002年4月より量産を開始し、2004年度に100億円の売上を目指します。

【シンメトリックス社概要】

• 会社名　：Symetrix Corporation
  
  
• 所在地　：5055 Mark Dabling Blvd.Colorado Springs, CO 80918
  
  
• チェアマン兼C.E.O.：Dr. Carlos A. Paz de Araujo
  
  
• 設　　立：1986年
  
  
• 事業内容：FeRAMの開発、商品化およびFeRAMに関する調査、ライセンスサポート

【用語説明】

　FeRAM：

FeRAMとは、強誘電体膜を用いることにより、低電圧で書き換えができかつ電源を切っても記憶データが消えない不揮発性メモリです。SRAMやDRAMと同等レベルの高速読み出しができ、かつフラッシュメモリの１万倍以上の書き換えが可能です。シンメトリックス社は、強誘電体膜として層状ペロブスカイト膜を用いたFeRAMの特許を多数保有しております。

　層状ペロブスカイト膜：

ペロブスカイトとは、正方晶系結晶構造の一種で多くの強誘電体はこの構造をしています。ペロブスカイト構造では結晶の中心付近の原子が外部電界で動きやすい為に分極現象（電気的中性からはずれること）が起こります。ここで外部電界を取り去っても分極は保持されるため、データの記憶保持がおこなわれ不揮発性メモリとして動作します。層状ペロブスカイト膜は、ペロブスカイトの一種で分極（書き換え）を繰り返したときに膜の疲労が少ないという特徴を持つ強誘電体膜です。

　　　　　　　　広報部　電話：03-3580-8950