沖電気研究開発(No.174)

高速低電圧(20GHz/V)反射型半導体光変調器

山田光志 中村幸治 堀川英明

 将来のマルチメディア情報化社会の到来に向けて、基幹系光通信システムの超高速大容量化は必要不可欠である。その中の1つのキーデバイスは、光変調器である。本稿では、数十ギガビット光通信システム対応の高速光変調を目的に開発した、反射型(二重通過型)電界吸収光強度変調器について、初めに、その特性を理論的に論ずる。次に、作製した素子の静特性および動特性を評価し、10dB消光電圧1V、変調帯域20GHz以上を達成するとともに、従来の変調器と比べて変調帯域・動作電圧比を2倍に向上したことを報告する。



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